近期集成電路產業領域一起中美合資合作項目，引發了業內對中國集成電路產業發展如何創新發展的討論。

一部分不雅觀點認為引進外資會對國內芯片產業帶來巨大沖擊，呼吁政府部門采取手段掩護已有的產業成果;另一部分不雅觀點則持開放態度，認為“一花獨放不是春”，在中國芯片產業發展中應該互通有無、優勢互補，在公平競爭中實現產業健康發展。

如何看待我國集成電路產業自主可控發展過程的開放合作與公平競爭、引進消化與自主創新之間的關系，成為人們關注的問題。

引起討論的是什么項目?

資料顯示， 2017 年 5 月，大唐電信、聯芯科技、建廣資產、智路本錢等國內企業與美國高通公司頒布頒發合資設立瓴盛科技，聚焦消費類手機市場，通過有效整合各方資源提升產品競爭力及影響力。

該項目合資項目中，大唐電信集團是中國移動通信領域的國家隊，主導了TD-LTE4G國際移動通信尺度，擁有TD-LTE核心技術專利，聯合三家主要單位申報的“第四代移動通信系統(TD-LTE)關鍵技術與應用”項目榮獲“ 2016 年度國家科技進步特等獎”。

聯芯科技是大唐電信集團旗下手機通信芯片企業，多年來基于對中國客戶需求的理解，積累了重要的研發人才;

建廣資產和智路本錢多年來積極布局半導體產業領域的中國本錢，控股企業產品覆蓋通信、汽車電子、消費、工業等領域，是鞭策國內半導體產業發展的重要力量之一。

高通則是全球移動通信領域的技術領先者，是移動互聯網時代全球最頂尖的半導體芯片廠商。

在這一項目中，中方控股占76%。就是這樣一起市場化的合資合作項目，引起了前述對集成電路產業開放合作、公平競爭與自主創新的大討論。

核心技術差距明顯，仍處學習和跟進階段

雖然我國電子信息產業規模多年位居世界第一，但主要以整機制造為主，集成電路、半導體等產業和歐美企業比擬還存在較大差距。以智能終端為例，我國智能終端產業在核心芯片、關鍵器件領域面臨長期挑戰。當前國內智能終端關鍵元器件產業整體處于研發跟進的發展階段，主流廠商旗艦機及高端款型在上游環節偏重于高通、美光、MTK、三星、SK海力士、索尼、新思、FPC等國際大廠，進而導致硬件配置趨同、整機同質化競爭嚴重。

為此國內半導體企業奮起直追，近年來也取得可喜的成果。緊抓4G發展浪潮實現技術水平的進一步提升，聯芯科技在國內率先推出4GTD-LTE智能終端芯片，并成功實現千萬級商用;華為海思基于臺積電16nmFinFET工藝設計的麒麟950/ 955 在自有高端機型Mate8、P9 中得到應用，且能夠支持LTEcat12、cat13UL網絡尺度; 2017 年 2 月展訊推出首款采用Intel架構的14nm8 核 64 位中高端智能手機芯片平臺SC9861。

盡管如此，我國終端芯片企業與國際領先企業仍存在不小差距。目前，國際上終端芯片領域多模多頻、自研架構和高工藝高集成設計成為業界共同發展標的目的。高通依然是領先技術水平的代表，其新一代移動平臺驍龍 835 采用三星10nmFinFET工藝，基于高通迄今為止功效最出色的CPU架構kryo280，最高主頻可達2.45GHz，集成X16LTE的調制解調器可支持高達千兆級的連接;三星緊隨其后，通過自有14nmFinFET工藝和自研 64 位架構Mongoose的結合，提升了Exynos8 芯片的高端化水平;MTK則以高性價比為主，最新的HelioX30 平臺基于臺積電10nm工藝。

所以，我們需要清醒的認識到，現階段從核心人才到基礎技術，我們仍處于學習和跟進的階段。

中方主導、合資合作是符合國情的創新之路

集成電路產業是一個國際化、全球化產業，沒有單一國家可閉關鎖國，自成體系。在集成電路設計領域，當前我國企業(包孕展訊和聯芯等)的手機芯片設計主要是在跨國企業的核心技術(如ARM的CPU授權、Candence公司的EDA工具技術授權)基礎上進行產品層面的自主研發和技術創新。

在半導體制造領域，國內晶圓制造技術落后于世界領先水平達 2 代;集成電路產業結構仍待優化，缺乏有規模的設計制造整合(IDM)企業。我國的半導體制造業，雖然材料、設備已經進入一些大的foundry，但很多還沒有能力大規模參與前沿制程的實現，至今還無法完全脫離海外材料、海外設備，工藝上更要借力人家的基礎。

所以，現階段談我國集成電路產業創新發展，不是一個某技術節點的問題，很多突破遠非單個企業所能為，更不能脫離開放合作談自主創新，因為懼怕競爭而拒絕外來合作進行創新。