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bios里面各參數的中英文對照

Above1MBMemoryTest：設置開機自檢時是否檢測1M以上內存。該選項已經在新的BIOS中被淘汰。由于內存價格暴跌，電腦用戶安裝內存容量陡然增加，開機時的大容量內存自檢時間太長，今后，即使一遍的內存檢測可能也會出現允許/禁止開關。

AutoConfiguration：設置為允許時，BIOS按照最佳狀態(tài)設置。BIOS可以自動設置內存定時，因此會禁止一些對內存設置的修改，建議選擇允許方式。

MemoryTestTickSound：是否發(fā)出內存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關閉它們。

MemoryParityErrorCheck：設置是否要設置內存奇偶校驗。多在30線內存條使用時代，已經被淘汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機。

CacheMemoryController：是否使用高速緩存。不在流行的AwardBIOS中使用。

ShadowRAMOption：設置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內存中。可以加快速度，但也可能造成死機。

InternalCacheMemory：是否使用CPU內部緩存(一級緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。

ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現，使主板上的二級緩存退居成三級緩存。

ConcurrentRefresh：直譯是同時發(fā)生的刷新。設置CPU在對其它I/O操作時對內存同時刷新，可以提高系統(tǒng)性能。

DRAMReadWaitState：設置CPU從內存讀數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。

DRAMWriteWaitState：設置CPU向內存寫數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。

SlowRefresh：對質量好的內存，保持數據的時間比較長，可以設置更長的時間周期，從而提高系統(tǒng)性能。

ShadowCachecable：把映射到常規(guī)內存的BIOSROM增加高速緩存，使性能更進一步。

PageMode：使內存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內存RAS周期，因此采用計數器來監(jiān)視RAS周期，一旦超過RAS周期，則將周期自動復位為0。

MemoryRelocation：內存重新定位。即將384的上位內存(UpperMemoryBlock)數據轉儲到1MB以上的擴展內存中。

MemoryHole：有人稱作內存孔洞。把內存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設置成禁止，除非ISA擴展卡有專門的說明。

DRMATimingSetting：快頁內存或EDO內存速度設置，通常是60ns或70ns選擇，對10ns或更快的SDRAM內存無效。

FastMAtoRASDelay：設置內存地址(MemoryAddress)到內存行地址觸發(fā)信號(RAS)之間的延遲時間。

DRAMWriteBrustTiming：CPU把數據寫如高速緩存后，再寫如內存的延遲時間。

FastRASToCASDelay：行地址觸發(fā)信號到列地址觸發(fā)信號之間的延遲時間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。

DRAMLead-OffTiming：CPU讀/寫內存前的時間。

DRAMSpeculativeRead：設置成允許時，讀內存的時間比正常時間提前一個時間周期，可以提高系統(tǒng)性能。

DRAMDataIntegrityMode：選擇內存校驗方式是Parity或ECC。

RefreshRASAssertion：設置內存的行地址刷新時間周期，對質量好的內存可以延遲刷新，從而提高系統(tǒng)性能。

RASRechargePeriod：內存行地址信號預先充電所需要的時間。

FastEDOPathSelect：設置選擇對EDO內存讀/寫的快速途徑，可以提高系統(tǒng)性能。

SDRAMRASLatency：設置SDRAM內存的行地址觸發(fā)到列地址觸發(fā)的時間延遲。

SDRAMRASTiming：設置系統(tǒng)對SDRAM內存的行地址觸發(fā)時間，也即刷新時間。

PeerConcurrency：為提高系統(tǒng)并行，使CPU對高速緩存或內存或PCI設備，或PCI的主控信號對PCI外圍設備等等操作同時進行。系統(tǒng)智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。

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