一紙起訴書，令兩家LED芯片行業(yè)公司對(duì)簿公堂。

據(jù)報(bào)道，今年9月3日三安光電起訴華燦光電專利侵權(quán)一案，正式被湖南省長(zhǎng)沙市中級(jí)人民法院受理。

據(jù)了解，三安光電指控華燦光電股份有限公司、華燦光電（浙江）有限公司、華燦光電（蘇州）有限公司等侵犯其第ZL201210286901.2號(hào)發(fā)明專利和第ZL02142952.9號(hào)發(fā)明專利，專利名稱分別為“氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件以及制造其的方法”和“半導(dǎo)體發(fā)光元件和半導(dǎo)體發(fā)光裝置”。

第ZL201210286901.2號(hào)發(fā)明專利

第ZL02142952.9號(hào)發(fā)明專利

上述兩項(xiàng)專利涉及LED芯片制造的基礎(chǔ)技術(shù)。三安光電認(rèn)為，華燦光電侵犯了其在氮化物L(fēng)ED制造中提高光提取效率和提高空穴注入效率方面的專利技術(shù)。

三安光電要求華燦光電停止制造、許諾銷售和銷售侵犯上述專利的應(yīng)用包括電視背光、消費(fèi)顯示背光、車載顯示背光、顯示和照明領(lǐng)域的LED芯片，銷毀全部用于生產(chǎn)侵權(quán)產(chǎn)品的設(shè)備以及相關(guān)模具，并賠償三安光電經(jīng)濟(jì)損失共8000萬元。

一位專業(yè)從事LED芯片的技術(shù)人員稱，LED外延是LED芯片的基底材料，是由多層半導(dǎo)體材料堆疊組合形成的發(fā)光材料層，通過調(diào)整半導(dǎo)體材料層可以提高發(fā)光效果；LED芯片即是在外延基底材料上經(jīng)過各種圖案設(shè)計(jì)、電極設(shè)計(jì)以及研磨、切割、劃片、分選等工序，從而形成的單個(gè)LED發(fā)光體，通過對(duì)其中涉及的電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整可以提高空穴注入效率，進(jìn)一步提升發(fā)光效果。三安光電在起訴書中認(rèn)為，華燦光電在上述技術(shù)環(huán)節(jié)方面涉及侵權(quán)。

未來案件走向仍未可知。北京某律師事務(wù)所專利顧問韓某表示，此次訴訟涉及的賠償金額8000萬元，在專利訴訟領(lǐng)域是比較高的。由于民事與行政程序交織、技術(shù)事實(shí)查明難度大等多方面因素，技術(shù)類知識(shí)產(chǎn)權(quán)案件的審理周期通常較長(zhǎng)。

關(guān)于三安光電起訴華燦光電專利侵權(quán)一事，華燦回應(yīng)表示：“我們也是今天剛看到這個(gè)（專利權(quán)訴訟的）消息，這個(gè)訴訟我們也是剛剛確實(shí)接收到，現(xiàn)在的事項(xiàng)公司正在積極應(yīng)對(duì)當(dāng)中，公司也會(huì)嚴(yán)格按照披露的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行信披。”