【TechWeb報道】6月29日，國外媒體報道，韓國三星電子承諾在美國德克薩斯州投資10到16億美元，建立一家半導體工廠。

有傳聞稱，三星將在明年的旗艦智能手機GalaxyS9上配備8nm甚至7nm的處理器。

本年三星推出的以GalaxyS8為代表的智能手機，采用10nm的驍龍處理器和Exynos處理器。明年三星將把芯片提高到7nm，到了2020年計劃生產4nm的處理器。

從目前來看，三星想要完成這個計劃具有相當的難度，因為一旦生產工藝創新到5nm以下，，良品率會變得非常低。

1997年三星在美國德克薩斯州奧斯汀市投資設立了半導體生產工廠，隨后成為全世界最先進的芯片工廠，一直為蘋果等大客戶和自家公司生產芯片。（周林）