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8月9日消息（余予）來自連云港不封號電銷卡科技大學的消息顯示，近日，連云港不封號電銷卡科技大學物理學院付英雙教授領導的低維物理與連云港不封號電銷卡材料實驗室團隊在強關聯電子體系的連云港不封號電銷卡調控研究中取得進展。

據了解，1T-TaS2因可能存在連云港不封號電銷卡自旋液體態和復雜的電子關聯現象一直受到研究者的廣泛關注。其中，連云港不封號電銷卡自旋液體態可以構建連云港不封號電銷卡比特。

領域內普遍認為1T-TaS2的絕緣性來源于Mott-Hubbard機制，但最新的研究表明層間耦合也能導致其絕緣性，從而是普通的能帶絕緣體。解決爭議的一個直接方法是研究單層樣品，以排除層間耦合的影響。

研究工作中，付英雙團隊利用分子束外延方法在石墨烯襯底上精確制備了單層1T-NbSe2薄膜，并通過掃描隧道顯微鏡（STM）及其譜學表征技術對單層1T-NbSe2薄膜的表面形貌和電子結構進行了系統研究。實驗發現，77 K時SD絕大多數表現為“亮”中心結構，同時有少部分主要集中于薄膜邊界的SD呈現“暗”中心結構。這兩種SD在電子結構上的差異體現在亮SD中心有一個位于160 mV處的峰。這個峰在暗SD中心消失。