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國內的發展現狀

　　集成度增加，集成電路芯片上的連線數目急劇上升，國內采用多層金屬布線解決金屬化中遇到的困難。用兩層金屬布線可完成特征尺寸為10μｍ以上的集成電路，0.35μｍ需要4～5層，總連線長度可達到380ｍ；0.13μｍ需要6～7層，總長度約為4ｋｍ，予計到0.07μｍ需要10層，總長達到10ｋｍ。采用多層金屬互連可以顯著縮短器件之間的連線密度，減小ＲＣ時間常數和縮小芯片，使速度、集成度和可靠性都得到提高。

　　用RLC模型來估計互連線間耦合電容及對其結果地一些模擬，基于分析得出地結論，研究一些算法，在一定的串擾約束下調整布線。

　　國內認為金屬互連線的電阻、金屬互連線間及金屬層間的電容是互連線主要的寄生元件，它直接決定著互連線的ＲＣ延遲，關聯著信號的串擾。降低互連線的電阻和線間及層間的總電容將減小互連線引起的時間延遲并改善串擾。低介電常數替代傳統的二氧化硅，以及互連線和電介質材料的幾何結構最優化是降低互連線寄生電容的兩個主要措施。用低電阻率金屬材料銅替代傳統的鋁作為互連線材料是降低互連線電阻的主要措施。

　　1.1.2 立題的目的與意義
　　學習并掌握深亞微米IC設計信號完整性問題的有關知識，找出影響信號完整性的因素，并研究其影響信號完整性的機理，對其提出一些解決方法，指導深亞微米IC設計，從而減少信號完整性對深亞微米IC設計的影響。