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國(guó)內(nèi)的發(fā)展現(xiàn)狀

　　集成度增加，集成電路芯片上的連線數(shù)目急劇上升，國(guó)內(nèi)采用多層金屬布線解決金屬化中遇到的困難。用兩層金屬布線可完成特征尺寸為10μｍ以上的集成電路，0.35μｍ需要4～5層，總連線長(zhǎng)度可達(dá)到380ｍ；0.13μｍ需要6～7層，總長(zhǎng)度約為4ｋｍ，予計(jì)到0.07μｍ需要10層，總長(zhǎng)達(dá)到10ｋｍ。采用多層金屬互連可以顯著縮短器件之間的連線密度，減小ＲＣ時(shí)間常數(shù)和縮小芯片，使速度、集成度和可靠性都得到提高。

　　用RLC模型來(lái)估計(jì)互連線間耦合電容及對(duì)其結(jié)果地一些模擬，基于分析得出地結(jié)論，研究一些算法，在一定的串?dāng)_約束下調(diào)整布線。

　　國(guó)內(nèi)認(rèn)為金屬互連線的電阻、金屬互連線間及金屬層間的電容是互連線主要的寄生元件，它直接決定著互連線的ＲＣ延遲，關(guān)聯(lián)著信號(hào)的串?dāng)_。降低互連線的電阻和線間及層間的總電容將減小互連線引起的時(shí)間延遲并改善串?dāng)_。低介電常數(shù)替代傳統(tǒng)的二氧化硅，以及互連線和電介質(zhì)材料的幾何結(jié)構(gòu)最優(yōu)化是降低互連線寄生電容的兩個(gè)主要措施。用低電阻率金屬材料銅替代傳統(tǒng)的鋁作為互連線材料是降低互連線電阻的主要措施。

　　1.1.2 立題的目的與意義
　　學(xué)習(xí)并掌握深亞微米IC設(shè)計(jì)信號(hào)完整性問(wèn)題的有關(guān)知識(shí)，找出影響信號(hào)完整性的因素，并研究其影響信號(hào)完整性的機(jī)理，對(duì)其提出一些解決方法，指導(dǎo)深亞微米IC設(shè)計(jì)，從而減少信號(hào)完整性對(duì)深亞微米IC設(shè)計(jì)的影響。