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第2章是信號(hào)完整性的概述，主要分析了影響信號(hào)完整性的主要因素，并大致介紹了串?dāng)_噪聲(cross-talk)，電遷移（Electromigration)，電壓下降（IR Drop），天線(xiàn)效應(yīng)（Antenna Effect）和接地反彈與襯底耦合（Ground bounce Underlay coupling）的情況，而且還簡(jiǎn)要介紹了解決這些影響因素的方法。

　　第3章主要研究了串?dāng)_，連線(xiàn)延遲和串?dāng)_是影響深亞微米版圖設(shè)計(jì)的兩個(gè)很重要的因素，兩者都是從時(shí)序上影響設(shè)計(jì)。本章分析了串?dāng)_的起因，串?dāng)_可以由三種耦合機(jī)制引起，即電容、電感和輻射。從本質(zhì)上說(shuō)，輻射耦合是一種自感EMI擾亂，并可以把它視作在EMI設(shè)計(jì)框架里面。而且本章還詳細(xì)介紹了電容串?dāng)_和電感串?dāng)_及其解決方法。

　　第4章主要研究了電遷移，在電路規(guī)模不斷擴(kuò)大，器件尺寸進(jìn)一步減小時(shí)，互連線(xiàn)中電流密度在上升，鋁條中的電遷移現(xiàn)在更為嚴(yán)重，成為VLSI中的一個(gè)主要可靠性問(wèn)題。本章首先介紹了電遷移的原理及其影響因素，然后介紹了它的失效模式，最后分析了電遷移的解決措施。

　　第5章主要研究了電壓降，IR Drop是由電線(xiàn)電阻和電源與地之間的電流所產(chǎn)生的。如果電線(xiàn)的電阻值過(guò)高或者單元的電流比預(yù)想的要大，一種難以接受的電壓下降就會(huì)出現(xiàn)。簡(jiǎn)單的增加電線(xiàn)的線(xiàn)寬，降低電阻，并且由此電壓降低，但是同時(shí)它也會(huì)減少布線(xiàn)的面積，并且在大多數(shù)條件下不會(huì)被接受。確立設(shè)計(jì)之后，從事于IR Drop問(wèn)題，當(dāng)今所普遍應(yīng)用的技術(shù)并不是對(duì)這些問(wèn)題行之有效的方法。為了使設(shè)計(jì)中電流下降的位置更加完善，并且可以自動(dòng)地通過(guò)更寬地金屬層為IR Drop的最低估計(jì)值提供路徑，其所需要的是科學(xué)的設(shè)計(jì)和可用來(lái)實(shí)施的工具。本章進(jìn)行了模擬仿真實(shí)驗(yàn)，證實(shí)了本章的論述。