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中國移動物聯網專用卡技術指標分級

1.分級原則

由于各行業應用環境差異較大，對M2M專用卡各項指標要求也不盡相同，通過對各行業普

遍關注的技術指標進行分類匯總，并根據技術指標差異給出各級指標量化參數（如T1 –

T2 – H1 – C1 -? - N1）。

注意：對于本標準未定義的指標要求，需根據具體行業需求另行規定。

表1 技術指標定義列表

指標代碼	指標項	闡述要點
T	操作和存儲溫度	2
H	濕度	3
C	腐蝕	4
V	震動	5
A	模塊附著力	6
R	數據保存時間	7
E	擦寫次數	8
M	抗電磁干擾	9
X	抗X光	10
S	抗靜電	11

2. 操作和存儲溫度

普通SIM卡的操作及存儲溫度標準范圍是：-25°C~85°C。

M2M專用卡溫度分為七個等級，分別是T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7各等級的溫度范圍

如下表所示：

表2 溫度指標列表

溫度級別	指標要求
T1	-25 to +85°C
T2	-40 to +85°C
T3	-40 to +105°C
T4	-40 to +125°C
T5	-65 to +125°C
T6	-65 to +150°C
T7（存儲溫度）	-65 to +300°C

滿足以上級別要求的M2M專用卡應保證：卡片暴露在溫度范圍規定的最高溫度或者最低

溫度下1000小時，卡的操作正常且存儲正常（T7只要求存儲溫度）。

3. 濕度

濕度目前分為兩個等級，指標要求如下表所示：

表3 濕度指標列表

濕度級別	指標要求
H1	在 50 度 溫 度 ， 相 對 濕 度 范 圍 90%~95%，1000小時的條件下，可以保證卡的操作和存儲正常。
H2	在 85 度 溫 度 ， 相 對 濕 度 范 圍 90%~95%，1000小時的條件下，可以保證卡的操作和存儲正常。

4. 腐蝕

腐蝕目前只有一個等級為C1，指標要求如下表所示：

表4 腐蝕指標列表

濕度級別	指標要求
C1	在5%鹽度(NaCl)的環境下存儲至 少24小時，卡的操作和存儲正常。

5. 震動

震動分為三個等級，分別是V1，V2，V3，各等級的震動范圍如下表所示：

表5 震動指標列表

震動級別	指標要求
V1	5Hz to 500Hz
V2	10Hz to 1000Hz
V3	20Hz to 2000Hz

滿足以上級別要求的M2M專用卡應保證：在以上等級的震動環境下至少2小時，卡的操作

和存儲正常。

對于加速度、振幅等的詳細要求參見附錄B。

針對V1的指標等級范圍是附錄B中的等級3～8；針對V2的指標等級范圍是附錄B中等級2；

針對V3的指標等級范圍是附錄B中的等級1。

6. 附著力

附著力目前只有一個等級為A1，指標要求如下表所示：

表6 附著力指標列表

附著力級別	指標要求
A1	對卡施加60N的拉力并持續1分鐘， 模塊不應從卡上分離，卡的操作和 存儲正常。

7. 數據保存時間

數據保存時間是指在無源儲存情況下的數據保存時間，不包括由于對M2M專用卡的擦寫6

操作導致卡片數據損壞的情況。

數據保存時間分為四個等級，分別是R1，R2，R3，R4，各等級的指標要求如下表所示：

表7 數據保存時間指標列表

數據保存時間級別	指標要求
R1	10年
R2	15年
R3	20年
R4	25年

在每個時間指標下，根據最高存儲溫度范圍，可分為85°C、105°C、125°C三個等級。

8. 擦寫次數

擦寫次數是指通過UPDATE指令(參見TS102.221)更新M2M專用卡內數據，保證M2M專用卡

可以正常擦寫和讀取的最小次數。在對M2M專用卡進行重復擦寫數據存儲區的情況下，保證

某些常用文件（例如SMS）和數據不會因頻繁操作而導致損壞。

卡片擦寫次數分為四個等級，分別是E1，E2，E3，E4，各等級的指標要求如下表所示：

表8 擦寫次數指標列表

擦寫次數級別	指標要求
E1	10萬次
E2	50萬次
E3	100萬次
E4	500萬次

9. 抗電磁干擾

抗電磁干擾分為兩個等級，指標要求如下表所示：

表9 抗電磁干擾指標列表

電磁級別	指標要求
M1	在卡暴露在穩定的79500A/m （1000Qe）磁場下，不應降低卡片功能。
M2	在 卡 暴 露 在 穩 定 的640000A/m（1000Qe）磁場下， 不應降低卡片功能。

10. 抗 X 光(紫外線)

抗X光(紫外線)分為1個等級，指標要求如下表所示：

表10 抗X光指標列表

電磁級別	指標要求
X1	在卡的任何一面每邊在受到0.1Gy 劑 量 ， 相 當 于 70 ～ 140KeV中等能量X射線照射時（一年的累計劑量），不應降低卡片功能。

11. 抗靜電

抗靜電分為三個等級，指標要求如下表所示：

表11 抗靜電指標列表

靜電級別	指標要求
S1	在卡暴露在2000V的靜電環境中，不應降低卡片功能。
S2	在卡暴露在4000V的靜電環境中，不應降低卡片功能。
S3	在卡暴露在8000V的靜電環境中，不應降低卡片功能。

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